ATP PCIe第四代NVMe E1固態(tài)硬盤

耐用性:1 DWPD (5年企業(yè)工作負載)

持續(xù)的寫入性能:高達3，000 MB/秒

掉電保護:基于MCU *，具有靜態(tài)數(shù)據(jù)和動態(tài)保護

PLP診斷*(自診斷電容器檢查) 信號優(yōu)化技術(shù)

安全性:采用AES 256位加密的自加密硬盤(SED ), TCG

Opal 2.0 * 端到端數(shù)據(jù)路徑保護

9.5毫米對稱外殼

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全國熱線

400-888-2720

采用176層NAND構(gòu)建，擁有令人印象深刻的11，000+編程/擦除(P/E)循環(huán)耐久性，是ATP的e 1。的固態(tài)硬盤旨在利用尖端的PCIe接口和NVMe協(xié)議技術(shù)實現(xiàn)最佳性能。

專為1U邊緣服務(wù)器，ATP的E1。的固態(tài)硬盤專為垂直放置在小尺寸系統(tǒng)中而設(shè)計，允許在一個1U機箱中安裝多達6到12個驅(qū)動器。它們支持熱插拔，便于在系統(tǒng)運行時維護和更換驅(qū)動器。

高跨溫度可靠性意味著更低的誤碼率和更高的傳輸精度，從而實現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)完整性。

位于9.5毫米對稱外殼中，ATP的E1。固態(tài)硬盤是熱管理解決方案的產(chǎn)物。該盤柜具有定制的硬件和持續(xù)的性能固件調(diào)整，是滿足超大規(guī)模架構(gòu)苛刻要求的理想解決方案。

PCIe第四代NVMe E1。固態(tài)硬盤
生產(chǎn)線	優(yōu)越的
命名	N651Si
連接	PCIe G4 x4
閃躍型	三維薄層色譜
波形因數(shù)	E1。S
工作溫度	-40攝氏度至85攝氏度
掉電保護選項	基于硬件+固件
可選SED功能	AES 256位加密，TCG蛋白石2.0
容量	960 GB至7.68 TB
順序讀取(MB/s)高達	6,400
順序?qū)懭?MB/s)高達	6,100
隨機閱讀IOPS高達	1,000,000
蘭登寫IOPS高達	1,200,000
耐力(TBW)1至	79，000 TB
25°C時的可靠性MTBF	超過300萬小時
尺寸(毫米)	118.75 x 33.75 x 9.5
證書	RoHS/VCCI/CE/FCC/UKCA
保證	5年