無論采用何種存儲技術，存儲的數據都不能永遠保存，在閃存中都會有一段時間：

Data retention是數據保存時間的問題。到了期限，數據會出錯，標志著ECC無法成功糾正閃存讀取的數據。

我們知道閃存通常有以下錯誤：

1、電氣問題：  

如虛焊接或芯片故障，導致正常命令無法執行或數據錯誤率異常高。這個問題將在閃存或固態硬盤出廠測試時發現。

2、讀、寫和擦拭失敗：  

基本命令執行失敗，結果可以通過狀態位讀取。這些問題也可能發生在芯片使用過程中，但概率很小。

3、ECC糾錯失敗:  

其實數據錯誤率太高，超出了糾錯算法的糾錯能力。Data retention是罪魁禍首之一。閃存存儲的機制是通過量子隧道效應將電子轉移到浮柵層并停留在那里。隨著時間的推移，電子仍然有一定的可能性離開浮柵層，回到通道里面，離開更多的電子可能會導致單元閱讀的結果，即數據錯誤。

Data retention與浮柵層下的氧化層厚度有關。畢竟，氧化層越厚，電子離開的概率越小。研究表明，如果氧化層厚度為4.5nm，則理論數據可保存10年。